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M58LT128GST1ZA5E

产品描述128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
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文件大小503KB,共98页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M58LT128GST1ZA5E概述

128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories

M58LT128GST1ZA5E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-64
针数64
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.1.A
Is SamacsysN
最长访问时间110 ns
其他特性ALSO OPERATES IN SYNC-REGISTERED MODE
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B64
长度13 mm
内存密度134217728 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模4,127
端子数量64
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA64,8X8,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
页面大小8 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8,3/3.3 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.047 mA
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度10 mm
Base Number Matches1

M58LT128GST1ZA5E相似产品对比

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描述 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
是否Rohs认证 符合 - - 符合 符合 - 不符合 符合
厂商名称 ST(意法半导体) - - ST(意法半导体) ST(意法半导体) - ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 BGA - - BGA BGA - BGA BGA
包装说明 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-64 - - 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-64 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-64 - 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, TBGA-64 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-64
针数 64 - - 64 64 - 64 64
Reach Compliance Code compli - - compli compli - _compli compli
ECCN代码 3A991.B.1.A - - 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A - 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A
最长访问时间 110 ns - - 110 ns 110 ns - 110 ns 110 ns
其他特性 ALSO OPERATES IN SYNC-REGISTERED MODE - - ALSO OPERATES IN SYNC-REGISTERED MODE ALSO OPERATES IN SYNC-REGISTERED MODE - ALSO OPERATES IN SYNC-REGISTERED MODE ALSO OPERATES IN SYNC-REGISTERED MODE
启动块 TOP - - BOTTOM BOTTOM - TOP TOP
命令用户界面 YES - - YES YES - YES YES
通用闪存接口 YES - - YES YES - YES YES
数据轮询 NO - - NO NO - NO NO
JESD-30 代码 R-PBGA-B64 - - R-PBGA-B64 R-PBGA-B64 - R-PBGA-B64 R-PBGA-B64
长度 13 mm - - 13 mm 13 mm - 13 mm 13 mm
内存密度 134217728 bi - - 134217728 bi 134217728 bi - 134217728 bi 134217728 bi
内存集成电路类型 FLASH - - FLASH FLASH - FLASH FLASH
内存宽度 16 - - 16 16 - 16 16
功能数量 1 - - 1 1 - 1 1
部门数/规模 4,127 - - 4,127 4,127 - 4,127 4,127
端子数量 64 - - 64 64 - 64 64
字数 8388608 words - - 8388608 words 8388608 words - 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 - - 8000000 8000000 - 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS - - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - - 85 °C 85 °C - 85 °C 85 °C
最低工作温度 -25 °C - - -25 °C -25 °C - -25 °C -25 °C
组织 8MX16 - - 8MX16 8MX16 - 8MX16 8MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TBGA - - TBGA TBGA - TBGA TBGA
封装等效代码 BGA64,8X8,40 - - BGA64,8X8,40 BGA64,8X8,40 - BGA64,8X8,40 BGA64,8X8,40
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE - - GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE - GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE
页面大小 8 words - - 8 words 8 words - 8 words 8 words
并行/串行 PARALLEL - - PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - - 260 260 - 240 260
电源 1.8,3/3.3 V - - 1.8,3/3.3 V 1.8,3/3.3 V - 1.8,3/3.3 V 1.8,3/3.3 V
编程电压 1.8 V - - 1.8 V 1.8 V - 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm - - 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm
部门规模 16K,64K - - 16K,64K 16K,64K - 16K,64K 16K,64K
最大待机电流 0.000005 A - - 0.000005 A 0.000005 A - 0.000005 A 0.000005 A
最大压摆率 0.047 mA - - 0.047 mA 0.047 mA - 0.047 mA 0.047 mA
最大供电电压 (Vsup) 2 V - - 2 V 2 V - 2 V 2 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V - - 1.7 V 1.7 V - 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V - - 1.8 V 1.8 V - 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES - - YES YES - YES YES
技术 CMOS - - CMOS CMOS - CMOS CMOS
温度等级 OTHER - - OTHER OTHER - OTHER OTHER
端子形式 BALL - - BALL BALL - BALL BALL
端子节距 1 mm - - 1 mm 1 mm - 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM - - BOTTOM BOTTOM - BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - - 40 40 - 30 40
切换位 NO - - NO NO - NO NO
类型 NOR TYPE - - NOR TYPE NOR TYPE - NOR TYPE NOR TYPE
宽度 10 mm - - 10 mm 10 mm - 10 mm 10 mm

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