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MDO500-18N1

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 560A, 1800V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小60KB,共3页
制造商IXYS
标准  
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MDO500-18N1概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 560A, 1800V V(RRM), Silicon,

MDO500-18N1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流15000 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度140 °C
最大输出电流560 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1800 V
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MDO 500
High Power
Diode Modules
I
FRMS
= 880 A
I
FAVM
= 560 A
V
RRM
= 1200-2200 V
3
2
V
RSM
V
DSM
V
1300
1500
1700
1900
2100
2300
Symbol
I
FRMS
I
FAVM
I
FSM
V
RRM
V
DRM
V
1200
1400
1600
1800
2000
2200
Type
3
2
MDO 500-12N1
MDO 500-14N1
MDO 500-16N1
MDO 500-18N1
MDO 500-20N1
MDO 500-22N1
Maximum Ratings
880
560
t = 10 ms (50 Hz)
t = 8.3 ms (60 Hz)
t = 10 ms (50 Hz)
t = 8.3 ms (60 Hz)
t = 10 ms (50 Hz)
t = 8.3 ms (60 Hz)
t = 10 ms (50 Hz)
t = 8.3 ms (60 Hz)
15000
16000
13000
14400
1125000
1062000
845000
813000
-40...140
140
-40...125
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
°C
°C
°C
V~
V~
Test Conditions
T
VJ
= T
VJM
T
C
= 85°C; 180° sine
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
Features
International standard package
Direct copper bonded Al
2
O
3
-ceramic
with copper base plate
Planar passivated chips
Isolation voltage 3600 V~
UL registered E 72873
q
q
q
q
q
I
2
t
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
Applications
Supplies for DC power equipment
DC supply for PWM inverter
Field supply for DC motors
Battery DC power supplies
q
q
q
q
T
VJ
T
VJM
T
stg
V
ISOL
M
d
Weight
Symbol
I
RRM
V
F
V
T0
r
T
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
50/60 Hz, RMS
I
ISOL
£
1 mA
t = 1 min
t=1s
3000
3600
Advantages
Simple mounting
Improved temperature and power
cycling
Reduced protection circuits
q
q
q
Mounting torque (M6)
Terminal connection torque (M8)
Typical including screws
Test Conditions
T
VJ
= T
VJM
; V
R
= V
RRM
I
F
= 1200 A; T
VJ
= 25°C
4.5-7/40-62 Nm/lb.in.
11-13/97-115 Nm/lb.in.
650
g
Characteristic Values
mA
30
1.3
0.8
0.38
0.072
0.096
21.7
9.6
50
V
V
mW
K/W
K/W
mm
mm
m/s
2
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
For power-loss calculations only (T
VJ
= T
VJM
)
DC current
DC current
Creeping distance on surface
Creepage distance in air
Maximum allowable acceleration
Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions
© 2000 IXYS All rights reserved
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