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BF996S

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小161KB,共8页
制造商Atmel (Microchip)
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BF996S概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

BF996S规格参数

参数名称属性值
厂商名称Atmel (Microchip)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)0.03 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)0.035 pF
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

BF996S相似产品对比

BF996S
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
厂商名称 Atmel (Microchip)
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
外壳连接 SOURCE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (ID) 0.03 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 0.035 pF
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4
元件数量 1
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工作模式 DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
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封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
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