RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.03 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 0.035 pF |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
BF996S | |
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描述 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
厂商名称 | Atmel (Microchip) |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.03 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 0.035 pF |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
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