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WMS128K8L25DRI

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
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文件大小489KB,共10页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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WMS128K8L25DRI概述

Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32

WMS128K8L25DRI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明CERAMIC, SOJ-32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDSO-J32
JESD-609代码e4
长度21.1 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.96 mm
最大待机电流0.00075 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层GOLD
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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