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LMC6462AIN

产品描述DUAL OP-AMP, 1200 uV OFFSET-MAX, 0.05 MHz BAND WIDTH, PDSO8
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小649KB,共18页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
相似器件已查找到13个与LMC6462AIN功能相似器件
敬请期待 详细参数

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LMC6462AIN概述

DUAL OP-AMP, 1200 uV OFFSET-MAX, 0.05 MHz BAND WIDTH, PDSO8

双运算放大器, 1200 uV 最大补偿, 0.05 MHz 波段 宽度, PDSO8

LMC6462AIN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
零件包装代码DIP
包装说明DIP-8
针数8
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00001 µA
最小共模抑制比67 dB
标称共模抑制比74 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压2000 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.817 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量2
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法RAIL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最小摆率0.008 V/us
标称压摆率0.023 V/us
最大压摆率0.07 mA
供电电压上限16 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
标称均一增益带宽50 kHz
宽度7.62 mm

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器件名 厂商 描述
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TLV2252CP Texas Instruments(德州仪器) Dual Rail-To-Rail Low-Voltage Low Power Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70
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