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LMC6032

产品描述CMOS Dual Operational Amplifier
文件大小292KB,共13页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
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LMC6032概述

CMOS Dual Operational Amplifier

LMC6032相似产品对比

LMC6032 LMC6032IM LMC6032IN
描述 CMOS Dual Operational Amplifier CMOS Dual Operational Amplifier CMOS Dual Operational Amplifier
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
零件包装代码 - SOIC DIP
包装说明 - SO-8 DIP-8
针数 - 8 8
Reach Compliance Code - _compli _compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99
放大器类型 - OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 - VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) - 0.0002 µA 0.0002 µA
最小共模抑制比 - 60 dB 63 dB
标称共模抑制比 - 83 dB 83 dB
频率补偿 - YES YES
最大输入失调电压 - 9000 µV 9000 µV
JESD-30 代码 - R-PDSO-G8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 - e0 e0
长度 - 4.9 mm 9.8171 mm
低-偏置 - YES YES
低-失调 - NO NO
微功率 - YES YES
湿度敏感等级 - 1 1
功能数量 - 2 2
端子数量 - 8 8
最高工作温度 - 85 °C 85 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - SOP DIP
封装等效代码 - SOP8,.25 DIP8,.3
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE IN-LINE
包装方法 - RAIL RAIL
峰值回流温度(摄氏度) - 235 260
电源 - 5/15 V 5/15 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 1.75 mm 5.08 mm
最小摆率 - 0.4 V/us 0.8 V/us
标称压摆率 - 1.1 V/us 1.1 V/us
最大压摆率 - 1.9 mA 1.9 mA
供电电压上限 - 16 V 16 V
标称供电电压 (Vsup) - 5 V 5 V
表面贴装 - YES NO
技术 - CMOS CMOS
温度等级 - INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 - 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - 30 40
标称均一增益带宽 - 1400 kHz 1400 kHz
最小电压增益 - 20000 50000
宽度 - 3.9 mm 7.62 mm
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