CMOS Dual Operational Amplifier
LMC6032 | LMC6032IM | LMC6032IN | |
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描述 | CMOS Dual Operational Amplifier | CMOS Dual Operational Amplifier | CMOS Dual Operational Amplifier |
是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | - | SOIC | DIP |
包装说明 | - | SO-8 | DIP-8 |
针数 | - | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | - | _compli | _compli |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
放大器类型 | - | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | - | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | - | 0.0002 µA | 0.0002 µA |
最小共模抑制比 | - | 60 dB | 63 dB |
标称共模抑制比 | - | 83 dB | 83 dB |
频率补偿 | - | YES | YES |
最大输入失调电压 | - | 9000 µV | 9000 µV |
JESD-30 代码 | - | R-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | - | e0 | e0 |
长度 | - | 4.9 mm | 9.8171 mm |
低-偏置 | - | YES | YES |
低-失调 | - | NO | NO |
微功率 | - | YES | YES |
湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
功能数量 | - | 2 | 2 |
端子数量 | - | 8 | 8 |
最高工作温度 | - | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | - | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | - | SOP | DIP |
封装等效代码 | - | SOP8,.25 | DIP8,.3 |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
包装方法 | - | RAIL | RAIL |
峰值回流温度(摄氏度) | - | 235 | 260 |
电源 | - | 5/15 V | 5/15 V |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | - | 1.75 mm | 5.08 mm |
最小摆率 | - | 0.4 V/us | 0.8 V/us |
标称压摆率 | - | 1.1 V/us | 1.1 V/us |
最大压摆率 | - | 1.9 mA | 1.9 mA |
供电电压上限 | - | 16 V | 16 V |
标称供电电压 (Vsup) | - | 5 V | 5 V |
表面贴装 | - | YES | NO |
技术 | - | CMOS | CMOS |
温度等级 | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | - | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子节距 | - | 1.27 mm | 2.54 mm |
端子位置 | - | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | 30 | 40 |
标称均一增益带宽 | - | 1400 kHz | 1400 kHz |
最小电压增益 | - | 20000 | 50000 |
宽度 | - | 3.9 mm | 7.62 mm |
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