High Power Operational Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 7 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 5 µA |
| 最小共模抑制比 | 72 dB |
| 标称共模抑制比 | 90 dB |
| 频率补偿 | NO |
| 最大输入失调电压 | 22000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 21.755 mm |
| 低-失调 | NO |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 功率 | YES |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 250 V/us |
| 最大压摆率 | 24 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 35000 kHz |
| 最小电压增益 | 2500 |
| 宽度 | 7.62 mm |
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