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LH8550QLT3G

产品描述General Purpose Transistors PNP Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小148KB,共4页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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LH8550QLT3G概述

General Purpose Transistors PNP Silicon

LH8550QLT3G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)1.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)160
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
表面贴装YES

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
PNP Silicon
FEATURE
High current capacity in compact package.
I
C
=-1.5A.
Epitaxial planar type.
PNP complement: LH8550
Pb-Free Package is available.
LH8550PLT1G
Series
3
1
2
SOT–23
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
LH8550PLT1G
LH8550PLT3G
LH8550QLT1G
LH8550QLT3G
Marking
KIO
KIO
KIY
KIY
Shipping
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-continuoun
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Max
-50
-50
-6
-1500
Unit
V
V
V
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Dissipation Power
Junction and Storage Temperature
Symbol
P
D
T
j ,
T
S
t
g
Max
225
-55 to +150
Unit
mW
°C
Rev.B 1/4

LH8550QLT3G相似产品对比

LH8550QLT3G LH8550PLT1G LH8550PLT3G
描述 General Purpose Transistors PNP Silicon General Purpose Transistors PNP Silicon General Purpose Transistors PNP Silicon
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 LRC LRC LRC
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A 1.5 A
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 160 100 100
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W 0.225 W 0.225 W
表面贴装 YES YES YES

 
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