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LBAT54DW1T1G

产品描述SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小51KB,共3页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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LBAT54DW1T1G概述

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY

LBAT54DW1T1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.24 V
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.225 W
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流2 µA
最大反向恢复时间0.005 µs
反向测试电压25 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

LBAT54DW1T1G相似产品对比

LBAT54DW1T1G LBAT54DW1T3G
描述 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.24 V 0.24 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 2 2
端子数量 6 6
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.225 W 0.225 W
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V
最大反向电流 2 µA 2 µA
最大反向恢复时间 0.005 µs 0.005 µs
反向测试电压 25 V 25 V
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1
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