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WMS128K8V-15CI

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
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文件大小217KB,共8页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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WMS128K8V-15CI概述

Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

WMS128K8V-15CI规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间15 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T32
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.13 mm
最大待机电流0.008 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
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