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EDI88130C100CB

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, CDIP32,
产品类别存储    存储   
文件大小387KB,共8页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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EDI88130C100CB概述

Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, CDIP32,

EDI88130C100CB规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T32
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.005 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.095 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
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