EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, DUAL CAVITY, SIDE BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Microsemi |
| 包装说明 | DUAL CAVITY, SIDE BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 150 ns |
| 其他特性 | AUTOMATIC WRITE |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T32 |
| 长度 | 42.4 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 256KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 6.98 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm |
| 5962-9315502HXX | 5962-9315501HXX | |
|---|---|---|
| 描述 | EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, DUAL CAVITY, SIDE BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32 | EEPROM Module, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, DUAL CAVITY, SIDE BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32 |
| 厂商名称 | Microsemi | Microsemi |
| 包装说明 | DUAL CAVITY, SIDE BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32 | DUAL CAVITY, SIDE BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 150 ns | 200 ns |
| 其他特性 | AUTOMATIC WRITE | AUTOMATIC WRITE |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T32 | R-CDIP-T32 |
| 长度 | 42.4 mm | 42.4 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM MODULE | EEPROM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 256KX8 | 256KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 编程电压 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 6.98 mm | 6.98 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm |
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实时操作系统RTOS
单片机
嵌入式系统
FPGA/CPLD
嵌入式系统
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