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KBJ410G

产品描述4 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小397KB,共2页
制造商YEA SHIN TECHNOLOGY CO.,LTD
官网地址http://www.yeashin.com/
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KBJ410G概述

4 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

4 A, 1000 V, 硅, 桥式整流二极管

KBJ410G规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最大平均输入电流4 A
状态ACTIVE-UNCONFIRMED
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构BRIDGE, 4 ELEMENTS
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
相数1
最大重复峰值反向电压1000 V
最大非重复峰值正向电流120 A

KBJ410G相似产品对比

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描述 4 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
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