4 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
4 A, 1000 V, 硅, 桥式整流二极管
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 4 |
元件数量 | 4 |
最大平均输入电流 | 4 A |
状态 | ACTIVE-UNCONFIRMED |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
壳体连接 | ISOLATED |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相数 | 1 |
最大重复峰值反向电压 | 1000 V |
最大非重复峰值正向电流 | 120 A |
KBJ410G | KBJ4005G | KBJ401G | KBJ402G | KBJ404G | KBJ406G | KBJ408G | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
描述 | 4 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 4 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 4 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 4 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 4 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 4 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved