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BD136

产品描述1.5 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小106KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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BD136概述

1.5 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA

BD136规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-225AA
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值12.5 W
最大功率耗散 (Abs)8 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)75 MHz
VCEsat-Max0.5 V

BD136相似产品对比

BD136 BD138 BD140-10
描述 1.5 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA 1.5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 PNP power transistors
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 45 V 60 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25 63
JEDEC-95代码 TO-225AA TO-225AA TO-225AA
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP PNP
功耗环境最大值 12.5 W 12.5 W 12.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V 0.5 V
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
ECCN代码 - EAR99 EAR99
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