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JANTXV2N1613L

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小220KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTXV2N1613L概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN

JANTXV2N1613L规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid2078586279
零件包装代码TO-5
包装说明TO-5, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.8 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON

JANTXV2N1613L相似产品对比

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR LOW INPUT CURRENT PRECISION COMPARATOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN MARC REMOVABLE PIN&SOCKET CONTACTS Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN MARC REMOVABLE PIN&SOCKET CONTACTS
是否无铅 含铅 含铅 含铅 - 含铅 含铅 - 含铅 -
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合 - 不符合 -
Objectid 2078586279 1439171841 - - 2078570686 2078570692 - 2078586279 -
零件包装代码 TO-5 BCY TO-5 - BCY TO-5 - TO-5 -
包装说明 TO-5, 3 PIN CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 - TO-39, 3 PIN TO-5, 3 PIN - TO-5, 3 PIN -
针数 3 2 3 - 2 3 - 3 -
Reach Compliance Code unknown not_compliant compli - unknown unknown - unknown -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 - EAR99 -
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR - COLLECTOR COLLECTOR - COLLECTOR -
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A - 0.5 A 0.5 A - 0.5 A -
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V 30 V - 30 V 30 V - 30 V -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE - SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20 - 20 20 - 20 -
JEDEC-95代码 TO-5 TO-205AD TO-5 - TO-205AD TO-5 - TO-5 -
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 - O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 - O-MBCY-W3 -
JESD-609代码 e0 e0 e0 - e0 e0 - e0 -
元件数量 1 1 1 - 1 1 - 1 -
端子数量 3 3 3 - 3 3 - 3 -
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C - 200 °C 175 °C - 175 °C -
封装主体材料 METAL METAL METAL - METAL METAL - METAL -
封装形状 ROUND ROUND ROUND - ROUND ROUND - ROUND -
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL - CYLINDRICAL CYLINDRICAL - CYLINDRICAL -
极性/信道类型 NPN NPN NPN - NPN NPN - NPN -
最大功率耗散 (Abs) 0.8 W - 0.8 W - 0.8 W 0.8 W - 0.8 W -
认证状态 Qualified Qualified Qualified - Qualified Qualified - Qualified -
参考标准 MIL-19500 MIL-19500/181 MIL-19500 - MIL-19500 MIL-19500 - MIL-19500 -
表面贴装 NO NO NO - NO NO - NO -
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) - TIN LEAD TIN LEAD - TIN LEAD -
端子形式 WIRE WIRE WIRE - WIRE WIRE - WIRE -
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM - BOTTOM BOTTOM - BOTTOM -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON - SILICON SILICON - SILICON -

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