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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANTX2N3468
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JANTX2N3468

产品描述RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTX2N3468在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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JANTX2N3468概述

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

射频小信号晶体管

JANTX2N3468规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码BCY
包装说明TO-5, 3 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-205AD
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/348E
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
最大关闭时间（toff）90 ns
最大开启时间（吨）40 ns
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/348
Devices
2N3467
2N3467L
2N3468
2N3468L
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
,
T
stg
2N3467
2N3467L
40
40
2N3468
2N3468L
50
50
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
W
W
0
C
@ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +25
0
C
(2)
Operating & Storage Junction Temperature Range
1) Derate linearly 5.71 mW/
0
C for T
A
> +25
0
C
2) Derate linearly 28.6 mW/
0
C for T
C
> +25
0
C
5.0
1.0
1.0
5.0
-55 to +175
TO-39* (TO-205AD)
2N3467, 2N3468
TO-5*
2N3467L, 2N3468L
*See appendix A for
package outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Current
I
C
= 10 mAdc
Emitter-Base Breakdown Current
I
E
= 10
µAdc
Collector-Emitter Breakdown Current
I
C
= 10 mAdc
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 30 Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
EB
= 3.0 Vdc, V
CE
= 30
2N3467, L
2N3468, L
V
(BR)
CBO
V
(BR)
EBO
2N3467, L
2N3468, L
V
(BR)
CEO
I
CBO
I
CEX
40
50
5.0
40
50
100
100
Vdc
Vdc
Vdc
ηAdc
nAdc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
Page 1 of 2

JANTX2N3468相似产品对比

JANTX2N3468 JAN2N3467 JAN2N3467L JAN2N3468 JANTX2N3467 10051016S95 JANTXV2N3468
描述 RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-5, 3 PIN RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-5, 3 PIN RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR MARC REMOVABLE PIN&SOCKET CONTACTS RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 - 不符合
零件包装代码 BCY BCY BCY BCY BCY - BCY
包装说明 TO-5, 3 PIN TO-5, 3 PIN TO-5, 3 PIN CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 - CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 2 2 2 2 2 - 2
Reach Compliance Code unknown unknown compli not_compliant compli - compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR - COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A - 1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 40 V 40 V 50 V 40 V - 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 40 40 25 40 - 25
JEDEC-95代码 TO-205AD TO-205AD TO-5 TO-205AD TO-205AD - TO-205AD
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 - O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 - e0
元件数量 1 1 1 1 1 - 1
端子数量 3 3 3 3 3 - 3
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL - METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND - ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL - CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP - PNP
认证状态 Qualified Not Qualified Qualified Qualified Qualified - Qualified
参考标准 MIL-19500/348E MIL-19500/348E MIL-19500/348E MIL-19500/348E MIL-19500/348E - MIL-19500/348E
表面贴装 NO NO NO NO NO - NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE - WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM - BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 175 MHz 175 MHz 150 MHz 175 MHz - 150 MHz
最大关闭时间（toff） 90 ns 90 ns 90 ns 90 ns 90 ns - 90 ns
最大开启时间（吨） 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns - 40 ns
Base Number Matches 1 - 1 - 1 - 1

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