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JANTX1N6768R

产品描述8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小19KB,共2页
制造商ETC1
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JANTX1N6768R概述

8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257AA

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1N6769R
1N6770R
1N6771R
1N6772R
1N6773R
JAN1N6768,
JAN1N6769,
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JANTXV1N6770R
JANTXV1N6771R
JANTXV1N6772R
JANTXV1N6773R
JAN, JANTX, JANTXV CENTER TAP RECTIFIER IN A
TO-257AA, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/644 & 19500/645
16 Amp, 50 To 600 Volts, 35 To 60 ns trr
FEATURES
Very Low Forward Voltage
Very Fast Recovery Time
Hermetic Metal Package, JEDEC TO-257AA Outline
Low Thermal Resistance
Isolated Package
High Surge
DESCRIPTION
This series of products in a hermetic isolated package is specifically designed for use
at power switching frequencies in excess of 100 kHz. The series combines two high
e
fficiency devices into one package, simplifying installation, reducing heat sink
hardware, and the need to obtain matched components. These devices are ideally
suited for Hi-Rel applications where small size and high performance is required. The
common cathode and common anode configuration are both available.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Per Leg) @ 25°C
Peak Inverse Votg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 t 60
lae
0 o 0V
Maximum Average D.C. Output Current @ TC = 1 0 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
A
SreCret(o-eeiie83me)...............................6A
ug urn NnRpttv . sc
0
Operating and Storage Te p r t r R n e . . . . . . . . . . . . . . . . . - 6 ° C t + 1 0 C
meaue ag
5
o 5°
X
.
S C H E M ATIC
1
2
COMMON
ANODE
1
1
2
COMMON
CATHODE
3
1N67XX
.150
.140
MECHANICAL OUTLINE
.420
.410
.200
.190
.045
.035
.665
.645
.537
.527
1
2
3
3
1N67XXR
3
.430
.410
.038 MAX.
Note:
1N67XX =
DOUBLER
Cathode
Common
2
1N67XXR = Common Anode
.750
.500
.005
.035
.025
.100 TYP.
.120 TYP.
8 02 R6
Supersedes 4 11 R5
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