-
据外媒报道,汽车闪光激光雷达解决方案供应商Sense Photonics开发了新的激光雷达系统,使用单个传感器,在单次拍摄中同时提供高分辨率远程检测能力,以及具有更宽视场(FoV)的中程检测能力。 (图片来源:Sense Photonics) Sense Photonics的新型MultiRange(多射程)功能无需多个传感器头,就能允许车辆远距离检测道路轮廓、道路碎片、车道标记,以及...[详细]
-
加特兰毫米波雷达新方案惊艳亮相,以创新技术加速毫米波雷达普及 6月6日, “2024加特兰日”在上海成功举办。适逢公司成立十周年之际,加特兰围绕“Next Wave”这一主题,发布了全新毫米波雷达芯片平台、技术和方案,并携手产业链合作伙伴,共同探讨在智能化加速发展的当下,毫米波雷达行业如何以创新技术满足日新月异的感知需求,助力智能汽车、智能家居等创新应用普及,共赴智能化新未来。 加...[详细]
-
近期关于汽车“AEB(自动紧急刹车系统)”的议题在网上有着极高的讨论度,事情源于华为问界汽车宣传其智驾版车型AEB刹停能力出色,能够在90km/h的时速下刹停,而小鹏汽车创始人何小鹏则认为问界的AEB误杀率太高,根本没法使用。 最近网上曝出吉利子品牌雷达汽车“凌总”(或为凌世权,雷达汽车CEO)的朋友圈截图,“凌总”认为AEB的核心是安全,不是刹停速度越高越好,而是应该在合理的速度下,在确保...[详细]
-
1 并行流水结构FIR的原理 在用FPGA或专用集成电路实现数字信号处理算法时,计算速度和芯片面积是两个相互制约的主要问题。实际应用FIR滤波器时,要获得良好的滤波效果,滤波器的阶数可能会显著增加,有时可能会多达几百阶。因此,有必要在性能和实现复杂性之间做出选择,也就是选择不同的滤波器实现结构。这里运用并行流水线结构来实现速度和硬件面积之间的互换和折衷。 在关键路径插入寄存器的流水线结构是提...[详细]
-
4月12日,诺基亚在欧洲发布两款手机新品 诺基亚 E6 ( 报价 | 参数 | 图片 | 论坛)和X7,同时推出Symbian系统的升级版本Symbian Anna。
E72升级E6支撑触控
诺基亚 E6是诺基亚商务系列的延续,为诺基亚 E72的升级款,回收直板全键盘造型。在软硬件上,诺基亚 E6有较年夜幅度升级,诺基亚 E6回收了一块2.46英寸480x640像...[详细]
-
随着汽车与科技的连接越来越紧密,液晶仪表盘变得越来越普遍。 相比机械仪表,液晶仪表盘更具有科技感,在交互和布局上有更多的延展空间。不过,设计自由不能算优势,这是一把双刃剑。HMI 设计的好,科技感是锦上添花;设计不好,科技感倒成了累赘之物。 事实是,现在不少车厂在液晶仪表的交互设计上还比较欠缺经验,设计自由反而导致过犹不及。比如有些产品界面设计地太过花哨,显示的信息过于丰富,用户...[详细]
-
据IHS Markit的最新报告指出,在高分辨率相机及显示器的普及化下,让汽车制造商找到了弥补传统镜面设计不足的办法,通过高清摄像头及显示器等可视化及安全性功能驱动,实现汽车更多新的应用(如提高燃油效率等),但最明显的是汽车的后视镜及侧视镜将在未来十年内发生重大变化。 后视镜显示已经在实际应用中取得成功,具有提供驾驶员更广阔的视野,消除盲点。据IHS调查通用汽车在2015年已经将这个技术应用到...[详细]
-
新闻稿器件特性丰富, 集多种保护功能于一身,为汽车设计提供灵活性 2011年8月23日 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出用于汽车系统自安崭新的可调节输出非同步升压控制器。 NCV8871是一款输入电压范围为3.2伏(V)至44 V的宽输入电压器件,能用于驱动外部N沟道MOSFET。此器件包...[详细]
-
S3C6410跟S3C2440不同,S3C6410支持32位物理地址空间并将该地址空间分为2个部分,一部分是 存储空间 ,另一部分是 外设空间 。其中主存储空间通过SPINE总线访问,其地址空间为0x0000,0000~0x6FFF,FFFF,主存储空间又分为4个区域 引导镜像区(boot image area),内部存储区(internal memory area),静态存储区(static m...[详细]
-
/************************************************ 功能:LED--8051驱动测试程序(共阴极) 使用:调用函数 LEDn_display(*****) n表示用几个数码管显示n =4 参数传递跟据具体情况确定 时间:2011年1月7日 ****************************************...[详细]
-
for(;;) { void* buffer = malloc(SIZE); memset(buffer,SIZE); process(buffer) free buffer; } 这是一位实习生(我曾带过10+位实习生,因此见多识广)的伪代码,原本这个SIZE很小,估计是存放URL用的,定义为512字节,后来由于某种原因,扩大到了1M,从512字节扩大到了1M,速度...[详细]
-
《物联网“十二五”发展规划》指出,我国物联网发展还存在一系列瓶颈和制约因素,其中关键标准的缺失就是一方面原因。在“十二五”期间,我国要在物联网关键标准研究与制定方面取得显著成效,初步形成创新驱动、应用牵引、协同发展、安全可控的物联网发展格局。 标准建立对于物联网发展至关重要。统一标准,不同的网络系统才能互联互通,促成大规模生产,降低单业务成本,从而惠利产业发展。而实际情况是,随着物联网技术...[详细]
-
大约三年前,当刘易斯(Leo Liu)离开中国去海外留学时,半导体只占据了中国科技产业一个困乏的角落。刘之所以选择研究芯片设计,是因为他对创建可以抵御黑客的高级“黑匣子”芯片的想法着迷。当他从荷兰获得硕士学位后回国时,他被大量的工作机会所困扰。自从他离开以来,国内芯片厂商已经迫切希望找到像他这样的技能的人。 发生了很多变化。当刘离开时,他不知道特朗普政府将对一些中国最大的公司实施制裁,以限制...[详细]
-
通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有正的温度系数导通电阻也增加,因此流过的电流减小,温度降低,从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件,在其内部也是有许多小晶胞并联而成,晶胞的导通电阻具有正的温度系数,因此并联工作没有问题。但是,当深入理解功率MOSFET的传输特性和温度对其传输特性...[详细]
-
关于晶振电路真的简单吗?如何可靠的设计好GD32晶振电路,我们需要知道这些: 1、GD32可以选择哪些范围大小晶振? 以GD32F303为例,查询DATASHEET外部时钟电气特性小节可以看到晶振支持范围是4—32M范围均可选择 2、需不需要反馈电阻? 反馈电阻可以使芯片内部反相器稳定工作在线性区间,虽然一般MCU内部是设计有反馈电阻的,但根据晶振频率不同,反馈电阻的范围会有区别,所以...[详细]