WS512K32N-20G1TC,WS512K32N-20G1TC pdf中文资料,WS512K32N-20G1TC引脚图,WS512K32N-20G1TC电路-Datasheet-电子工程世界

WS512K32N-20G1TC: 产品描述SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68,; 产品类别存储存储; 文件大小486KB，共13页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

下载文档详细参数全文预览

WS512K32N-20G1TC概述

SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68,

参数名称	属性值
厂商名称	White Electronic Designs Corporation
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	20 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-XQFP-G68
内存密度	16777216 bi
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
端子数量	68
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	QFP
封装等效代码	QFP68,.99SQ,50
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.028 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.66 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190