IS43DR16160A,IS43DR16160A pdf中文资料,IS43DR16160A引脚图,IS43DR16160A电路-Datasheet-电子工程世界

IS43DR16160A: 产品描述16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84; 产品类别存储; 文件大小1MB，共48页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS43DR16160A概述

16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84

16M × 16 双倍速率同步动态随机存储器动态随机存取存储器, 0.4 ns, PBGA84

IS43DR16160A规格参数

参数名称	属性值
最大时钟频率	400 MHz
功能数量	1
端子数量	84
最小工作温度	-40 Cel
最大工作温度	85 Cel
额定供电电压	1.8 V
最小供电/工作电压	1.7 V
最大供电/工作电压	1.9 V
加工封装描述	8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84
each_compli	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	EOL
sub_category	DRAMs
存取方式	FOUR BANK PAGE BURST
ccess_time_max	0.4000 ns
interleaved_burst_length	4,8
i_o_type	COMMON
jesd_30_code	R-PBGA-B84
jesd_609_code	e1
存储密度	2.68E8 bit
内存IC类型	DDR DRAM
moisture_sensitivity_level	NOT SPECIFIED
端口数	1
位数	1.68E7 words
位数	16M
操作模式	SYNCHRONOUS
组织	16MX16
输出特性	3-STATE
包装材料	PLASTIC/EPOXY
ckage_code	TFBGA
ckage_equivalence_code	BGA84,9X15,32
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
eak_reflow_temperature__cel_	260
wer_supplies__v_	1.8
qualification_status	COMMERCIAL
efresh_cycles	8192
seated_height_max	1.2 mm
sequential_burst_length	4,8
standby_current_max	0.0050 Amp
最大供电电压	0.3850 Amp
表面贴装	YES
工艺	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子涂层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子间距	0.8000 mm
端子位置	BOTTOM
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	40
length	12.5 mm
width	8 mm
dditional_feature	AUTO/SELF REFRESH

IS43DR16160A相似产品对比

	IS43DR16160A	46DR83200A	IS46DR83200A
描述	16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84	16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84	16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
最大时钟频率	400 MHz	400 MHz	400 MHz
功能数量	1	1	1
端子数量	84	84	84
最小工作温度	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel
最大工作温度	85 Cel	85 Cel	85 Cel
额定供电电压	1.8 V	1.8 V	1.8 V
最小供电/工作电压	1.7 V	1.7 V	1.7 V
最大供电/工作电压	1.9 V	1.9 V	1.9 V
加工封装描述	8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84	8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84	8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84
each_compli	Yes	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes	Yes
状态	EOL	EOL	EOL
sub_category	DRAMs	DRAMs	DRAMs
存取方式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
ccess_time_max	0.4000 ns	0.4000 ns	0.4000 ns
interleaved_burst_length	4,8	4,8	4,8
i_o_type	COMMON	COMMON	COMMON
jesd_30_code	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84
jesd_609_code	e1	e1	e1
存储密度	2.68E8 bit	2.68E8 bit	2.68E8 bit
内存IC类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
moisture_sensitivity_level	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
端口数	1	1	1
操作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	16MX16	16MX16	16MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
ckage_code	TFBGA	TFBGA	TFBGA
ckage_equivalence_code	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
eak_reflow_temperature__cel_	260	260	260
wer_supplies__v_	1.8	1.8	1.8
qualification_status	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
efresh_cycles	8192	8192	8192
seated_height_max	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
sequential_burst_length	4,8	4,8	4,8
standby_current_max	0.0050 Amp	0.0050 Amp	0.0050 Amp
最大供电电压	0.3850 Amp	0.3850 Amp	0.3850 Amp
表面贴装	YES	YES	YES
工艺	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子涂层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子间距	0.8000 mm	0.8000 mm	0.8000 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	40	40	40
length	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm
width	8 mm	8 mm	8 mm
dditional_feature	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
位数	16M	16M	16M

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