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IRF734

产品描述Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小115KB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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IRF734概述

Power MOSFET

IRF734规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)330 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4.9 A
最大漏极电流 (ID)4.9 A
最大漏源导通电阻1.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRF734相似产品对比

IRF734 SIHF734 SIHF734-E3 IRF734L
描述 Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-262
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