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71B88S12TP

产品描述Standard SRAM, 16KX4, 12ns, BICMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22
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文件大小237KB,共6页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71B88S12TP概述

Standard SRAM, 16KX4, 12ns, BICMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22

71B88S12TP规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明DIP, DIP22,.3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T22
JESD-609代码e0
内存密度65536 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端子数量22
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP22,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.16 A
最大压摆率0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BICMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

 
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