电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RSK22N10KF0016

产品描述RES,SMT,THIN FILM,10K OHMS,100WV,1% +/-TOL,-25,25PPM TC,0202 CASE
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小63KB,共3页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

RSK22N10KF0016在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
RSK22N10KF0016 - - 点击查看 点击购买

RSK22N10KF0016概述

RES,SMT,THIN FILM,10K OHMS,100WV,1% +/-TOL,-25,25PPM TC,0202 CASE

RSK22N10KF0016规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMT, 0202
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
构造Chi
制造商序列号RSK22N
端子数量2
最高工作温度155 °C
最低工作温度-55 °C
封装高度0.4 mm
封装长度0.58 mm
封装形式SMT
封装宽度0.58 mm
额定功率耗散 (P)0.05 W
电阻10000 Ω
电阻器类型FIXED RESISTOR
系列RSK22N
尺寸代码0202
技术THIN FILM
温度系数-25,25 ppm/°C
容差1%
工作电压100 V

文档预览

下载PDF文档
RSK 22N
Vishay Sfernice
Precision Wirebondable Single Value Chip Resistor
FEATURES
Small size 20 mils x 20 mils
Low temperature coefficient 25 ppm/°C
Excellent stability 0.05 % (2000 h, rated power
at + 70 °C)
Wirebondable
Tolerance down to 0.1 %
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
Actual Size
The demand for high precision, high stability microchips for
both military and industrial environments is increasing with
the growth and sophistication of modern hybrid circuitry.
The RSK 22 series are single value resistor chips. They
provide excellent long term stability ± 0.05 % (2000 h, rated
power, at + 70 °C) and low noise characteristics < 35 dB.
TYPICAL PERFORMANCE
ABS
TCR
TOL.
25 ppm/°C
0.1 %
SCHEMATIC AND PATTERN
R
STANDARD ELECTRICAL SPECIFICATIONS
TEST
Material
Resistance range
Absolute TCR
Absolute tolerance
Power rating
Stability
Voltage coefficient
Working voltage
Operating temperature range
Storage temperature range
Noise
Thermal EMF
Shelf life stability
Note
(1)
For temperature up to 200 °C, please contact factory
** Please see document “Vishay Material Category Policy”:
www.vishay.com/doc?99902
www.vishay.com
34
For technical questions, contact:
sfer@vishay.com
Document Number: 60065
Revision: 10-Sep-09
SPECIFICATIONS
Nickel chromium
10
Ω
to 500 kΩ
± 25 ppm/°C
± 0.1 %, ± 0.5 %, ± 1 %
100 mW at 25 °C, 50 mW at + 70 °C, 25 mW at + 125 °C
± 0.05 % typical, ± 0.1 % maximum
< 0.1 ppm/V
100 V
DC
- 55 °C to + 155 °C
(1)
- 55 °C to + 155 °C
< - 35 dB typical
0.01 µV/°C
< 50 ppm
(1)
CONDITIONS
- 55 °C to + 155 °C
2000 h at + 70 °C under Pn
MIL-STD-202 Method 308

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 400  2058  1291  705  2009  9  42  26  15  41 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved