NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | SOT-23 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 32 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 70 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 125 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 800 ns |
| 最大开启时间（吨） | 150 ns |
| Base Number Matches | 1 |
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