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BR24T512F-WE2

产品描述EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, PDSO8
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文件大小441KB,共22页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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BR24T512F-WE2概述

EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, PDSO8

BR24T512F-WE2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度5 mm
内存密度524288 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源1.8/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.71 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000003 A
最大压摆率0.0045 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE

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High Reliability Serial EEPROMs
I C BUS
BR24□□□□family
BR24T□□□□Series
●Description
2
BR24T□□□-W series is a serial EEPROM of I C BUS interface method
No.11001EAT21
2
●Features
2
1) Completely conforming to the world standard I C BUS.
All controls available by 2 ports of serial clock (SCL) and serial data(SDA)
2) Other devices than EEPROM can be connected to the same port, saving microcontroller port
3) 1.7V½5.5V single power source action most suitable for battery use
4) 1.7V½5.5Vwide limit of action voltage, possible FAST MODE 400KHz action
5) Page write mode useful for initial value write at factory shipment
6) Auto erase and auto end function at data write
7) Low current consumption
8) Write mistake prevention function
Write (write protect) function added
Write mistake prevention function at low voltage
9) DIP-T8/SOP8/SOP-J8/SSOP-B8/TSSOP-B8/TSSOP-B8J/MSOP8/VSON008X2030 various packages
10) Data rewrite up to 1,000,000 times
11) Data kept for 40 years
12) Noise filter built in SCL / SDA terminal
13) Shipment data all address FFh
●BR24T
series
Capacity Bit format
1Kbit
2Kbit
4Kbit
8Kbit
16Kbit
32Kbit
64Kbit
128Kbit
256Kbit
512Kbit
128×8
256×8
512×8
1K×8
2K×8
4K×8
8K×8
16K×8
32K×8
64K×8
Type
Power source
Voltage
DIP-T8
SOP8
SOP-J8
SSOP-B8 TSSOP-B8 TSSOP-B8J
MSOP8
VSON008
X2030
BR24T01-W 1.7½5.5V
BR24T02-W 1.7½5.5V
BR24T04-W 1.7½5.5V
BR24T08-W 1.7½5.5V
BR24T16-W 1.7½5.5V
BR24T32-W 1.7½5.5V
BR24T64-W 1.7½5.5V
BR24T128-W 1.7½5.5V
BR24T256-W 1.7½5.5V
BR24T512-W 1.7½5.5V
BR24T1M-W 1.7½5.5V
1024Kbit 128K×8
☆:Developing
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/21
2011.03 - Rev.A

BR24T512F-WE2相似产品对比

BR24T512F-WE2 BR24T512FJ-WE2 BR24T512FV-WE2 BR24T512FVT-WE2
描述 EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, PDSO8 EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, PDSO8 EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, PDSO8 EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, PDSO8
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 SOP, SOP8,.25 SOP-8 SSOP-8 TSSOP-8
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz
数据保留时间-最小值 40 40 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3
内存密度 524288 bi 524288 bi 524288 bi 524288 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8
湿度敏感等级 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP LSOP SSOP TSSOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25 SSOP8,.25 TSSOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225
电源 1.8/5 V 1.8/5 V 1.8/5 V 1.8/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C
最大待机电流 0.000003 A 0.000003 A 0.000003 A 0.000003 A
最大压摆率 0.0045 mA 0.0045 mA 0.0045 mA 0.0045 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING UNSPECIFIED GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 0.635 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL UNSPECIFIED DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE
长度 5 mm 4.9 mm - 1.4 mm
座面最大高度 1.71 mm 1.65 mm - 1.2 mm
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