Variable Capacitance Diode, C Band, 3pF C(T), Silicon, Hyperabrupt
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
包装说明 | R-PDSO-N3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最小击穿电压 | 22 V |
标称二极管电容 | 3 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
频带 | C BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N3 |
JESD-609代码 | e4 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 1000 |
最大反向电流 | 0.05 µA |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Gold (Au) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
变容二极管分类 | HYPERABRUPT |
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