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MDK51018N3

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小505KB,共6页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
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MDK51018N3概述

Rectifier Diode,

MDK51018N3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Littelfuse
包装说明MODULE-3
Reach Compliance Codeunknow
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流12000 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流545 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压1800 V
最大反向电流30000 µA
反向测试电压1800 V
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

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IXYS
Diode Modules MD#510
Absolute Maximum Ratings
V
RRM
V
DRM
[V]
1800
Date: 20.08.2015
Data Sheet Issue: 1
MDD
510-18N3
MDA
510-18N3
MDK
510-18N3
VOLTAGE RATINGS
V
RRM
V
RSM
Repetitive peak reverse voltage
1)
Non-repetitive peak reverse voltage
1)
MAXIMUM
LIMITS
1800
1900
UNITS
V
V
OTHER RATINGS
I
F(AV)M
I
F(AV)M
I
F(RMS)M
I
F(d.c.)
I
FSM
I
FSM2
I
2
t
I
2
t
V
ISOL
T
vj op
T
stg
Maximum average forward current, T
C
= 85°C
2)
Maximum average forward current. T
C
= 100°C
2)
Nominal RMS forward current, T
C
= 55°C
2)
D.C. forward current, T
C
= 55°C
Peak non-repetitive surge t
p
= 10 ms, V
RM
= 60%V
RRM
3)
Peak non-repetitive surge t
p
= 10 ms, V
RM
£
10V
3)
I
2
t capacity for fusing t
p
= 10 ms, V
RM
= 60%V
RRM
3)
I
2
t capacity for fusing t
p
= 10 ms, V
RM
£
10 V
3)
Isolation Voltage
4)
Operating temperature range
Storage temperature range
MAXIMUM
LIMITS
545
445
1135
890
10.9
12.0
594
720
3000
-40 to +150
-40 to +150
UNITS
A
A
A
A
kA
kA
kA
2
s
kA
2
s
V
°C
°C
Notes:
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T
vj
below 25°C.
2) Single phase; 50 Hz, 180° half-sinewave.
3) Half-sinewave, 150°C T
vj
initial.
4) AC RMS voltage, 50 Hz, 1min test
Rating Report. Type MD#510-18N3 Issue 1
Page 1 of 5
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