Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 快恢复二极管> RS1DAF

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RS1DAF: 产品描述快恢复二极管, 1.0A, 200V, 30A, 1.3V, 1.0A, 5.0μA, 150nS; 产品类别分立半导体快恢复二极管; 文件大小1MB，共2页; 制造商LGE; 官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html

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RS1DAF概述

快恢复二极管, 1.0A, 200V, 30A, 1.3V, 1.0A, 5.0μA, 150nS

RS1DAF规格参数

参数名称	属性值
封装类型 Case Style	SMAF
IVA(A)	1.0
VRRM (V)	200
IFSM (A)	30
VF (V)	1.3
@IVA(A)	1.0
Maximum reverse current	5.0
TRR(nS)	150
class	Diodes

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RS1AFA--RS1MFA

Surface Mount Rectifiers

FEATURES

For surface mounted applications

Built-in strain relief, ideal for automated placement

High temperature soldering: 260 C/10 seconds at terminals

jklvts

Plastic package has underwriters, laborator flammability classification 94V-0

jqrvtw

jklptvx

jklvtpy

jlt

kvo

jrt

qpy

jlts

kys

RS1A

RS1B

100

RS1D

200

140

200

RS1G

400

280

400

1.0

jklotx

UNITS

1000

700

1000

UNITS

℃/W

℃

UNITS

mail:lge@lgesemi.com

Low profile package

SMAF

MECHANICAL DATA

Case :JEDEC SMAFL, molded plastic over

,passivated

chip

Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: color band denotes cathode end

Marking Information

XXXX

LGE：Lu Guang Electronic XXXX：

marking code (RS1A-RS1M)

Maximum Ratings

(@TA = 25° unless otherwise specified)

RS1J

600

420

600

RS1K

800

560

800

RS1M

Characteristic

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current T

=90℃

Peak forward surge current

8.3ms single half-sine-wave

superimposed on rated load

FSM

Symbol

RRM

RMS

F(AV)

Thermal Characteristics

RS1A

Characteristic

Typical junction capacitance

Typical thermal resistance

(Note2)

(Note3)

Symbol

ΘJL

STG

- 55 ------ + 150

7.0

RS1B

RS1D

RS1G

RS1J

RS1K

RS1M

Operating junction and storage temperature range

Electrical Characteristics

(@TA = 25° unless otherwise specified)

RS1A

Characteristic

Maximum instantaneous forward voltage at1.0 A

Maximum reverse current

at rated DC blocking voltage

Typical reverse recovery time (Note1)

=25

℃

=125℃

150

Symbol

50.0

250

500

1.30

5.0

RS1B

RS1D

RS1G

RS1J

RS1K

RS1M

NOTE:

1.Reverse recovery time test conditions: I

=0.5A, I

=1.0A, I

=0.25A

2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts

3. Thermal resistance from junction to lea

Revision:20170701-P1

www.lgesemi

jqrptzy

jqrptvo

RS1DAF相似产品对比

	RS1DAF	RS1BAF	RS1GAF	RS1KAF	RS1AAF	RS1JAF	RS1MAF
描述	快恢复二极管, 1.0A, 200V, 30A, 1.3V, 1.0A, 5.0μA, 150nS	快恢复二极管, 1.0A, 100V, 30A, 1.3V, 1.0A, 5.0μA, 150nS	快恢复二极管, 1.0A, 400V, 30A, 1.3V, 1.0A, 5.0μA, 150nS	快恢复二极管, 1.0A, 800V, 30A, 1.3V, 1.0A, 5.0μA, 500nS	快恢复二极管, 1.0A, 50V, 30A, 1.3V, 1.0A, 5.0μA, 150nS	快恢复二极管, 1.0A, 600V, 30A, 1.3V, 1.0A, 5.0μA, 250nS	快恢复二极管, 1.0A, 1000V, 30A, 1.3V, 1.0A, 5.0μA, 500nS
封装类型 Case Style	SMAF	SMAF	SMAF	SMAF	SMAF	SMAF	SMAF
IVA(A)	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0
VRRM (V)	200	100	400	800	50	600	1000
IFSM (A)	30	30	30	30	30	30	30
VF (V)	1.3	1.3	1.3	1.3	1.3	1.3	1.3
@IVA(A)	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0
TRR(nS)	150	150	150	500	150	250	500
class	Diodes	Diodes	Diodes	Diodes	Diodes	Diodes	Diodes
Maximum reverse current	5.0	5.0	5.0	5.0	5.0	5.0	-

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