Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 瞬态抑制二极管> 30KPA350A

30KPA350A: 产品描述瞬态抑制二极管, 30000W, 391.00V, 428.1V, 350V, 2uA, 53.4A, 567.0V; 产品类别分立半导体瞬态抑制二极管; 文件大小1MB，共3页; 制造商LGE; 官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html

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30KPA350A概述

瞬态抑制二极管, 30000W, 391.00V, 428.1V, 350V, 2uA, 53.4A, 567.0V

30KPA350A规格参数

参数名称	属性值
封装类型 Case Style	R-6
Ppk(W)	30000
MIN_(V)	391.00
MAX_(V)	428.1
Vwm_(V)	350
Ir_(uA)	2
Ippm_(A)	53.4
Vc_(V)	567.0
class	Diodes

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30KPA Series

Axial Lead

Transient Voltage Suppressors

R-6/P600

Reverse Voltage: 28 to 320 V

Peak Pulse Power: 30000 W

Features

●

Glass passivated chip

30000 W peak pulse power capability with a

10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty

cycle):0.01 %

Low leakage

Uni and Bidirectional unit

Excellent clamping capability

Very fast response time

RoHS compliant

Case: Molded plastic

Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

Lead: Solderable per MIL-STD-202, method

208 guranteed

Polarity: Color band denotes cathode end

except Bipolar

Mounting position: Any

●

1.000 [25.40]

MIN

DIA.

0.052 1.32

0.048 1.22

[ ]

Mechanical Data

●

0.360 9.14

0.340 8.64

[ ]

DIA.

0.360 9.14

0.340 8.64

[ ]

●

1.000 [25.40]

MIN

Dimensions :

inch [ mm ]

●

Maximum Ratings(T

=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Peak power dissipation with a 10/1000μs waveform

(1)

Peak pulse current with a 10/1000μs waveform

(1)

Power dissipation on infinite heatsink at T

= 75 °C

Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-

wave unidirectional only

(2)

Operating junction and storage temperature range

Note:

(1)Non-repetitive current pulse per Fig.5 and derated above T

= 25 °C per Fig.1

(2)Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum

Value

Symbol

30000

See Next Table

8.0

FSM

, T

STG

500

- 55 to +175

Unit

°C

Revision:20170701-P1

www.lgesem i

mail:lge@lgesemi.com

30KPA350A相似产品对比

	30KPA350A	30KPA300A	30KPA300CA	30KPA320A	30KPA320CA	30KPA350CA	30KPA360A	30KPA360CA
描述	瞬态抑制二极管, 30000W, 391.00V, 428.1V, 350V, 2uA, 53.4A, 567.0V	瞬态抑制二极管, 30000W, 334.00V, 367.4V, 300V, 2uA, 62.0A, 484.0V	瞬态抑制二极管, 30000W, 334.00V, 367.4V, 300V, 2uA, 62.0A, 484.0V	瞬态抑制二极管, 30000W, 357.40V, 392.4V, 320V, 2uA, 57.2A, 530.0V	瞬态抑制二极管, 30000W, 357.40V, 392.4V, 320V, 2uA, 57.2A, 530.0V	瞬态抑制二极管, 30000W, 391.00V, 428.1V, 350V, 2uA, 53.4A, 567.0V	瞬态抑制二极管, 30000W, 402.10V, 440.3V, 360V, 2uA, 47.3A, 640.0V	瞬态抑制二极管, 30000W, 402.10V, 440.3V, 360V, 2uA, 47.3A, 640.0V
封装类型 Case Style	R-6	R-6	R-6	R-6	R-6	R-6	R-6	R-6
Ppk(W)	30000	30000	30000	30000	30000	30000	30000	30000
MIN_(V)	391.00	334.00	334.00	357.40	357.40	391.00	402.10	402.10
MAX_(V)	428.1	367.4	367.4	392.4	392.4	428.1	440.3	440.3
Vwm_(V)	350	300	300	320	320	350	360	360
Ir_(uA)	2	2	2	2	2	2	2	2
Ippm_(A)	53.4	62.0	62.0	57.2	57.2	53.4	47.3	47.3
Vc_(V)	567.0	484.0	484.0	530.0	530.0	567.0	640.0	640.0
class	Diodes	Diodes	Diodes	Diodes	Diodes	Diodes	Diodes	Diodes

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