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2SB1570

产品描述Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT-200, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小24KB,共1页
制造商Allegro
官网地址http://www.allegromicro.com/
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2SB1570概述

Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT-200, 3 PIN

2SB1570规格参数

参数名称属性值
厂商名称Allegro
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)12 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)5000
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值150 W
最大功率耗散 (Abs)150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
VCEsat-Max2.5 V
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