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1N4448W

产品描述0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小147KB,共3页
制造商辰颐电子
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1N4448W概述

0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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1N4448W
PB FREE PRODUCT
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
FEATURES
Fast Switching Speed
Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion
For General Purpose Switching Applications
High Conductance
SOD-123
MARKING: T5
& A3
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T
A
=25℃
Parameter
Non-Repetitive Peak reverse voltage
Peak Repetitive Peak reverse voltage
Working Peak
DC Blocking
Voltage
Symbol
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
FM
I
O
I
FSM
Pd
Junction
to
R
θJA
T
STG
53
500
250
4.0
2.0
400
315
-65~+150
V
mA
mA
A
mW
K/W
75
V
Limits
100
Unit
V
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Average Rectified Output Current
Peak forward surge current @=1.0µs
@=1.0s
Power Dissipation
Thermal
Ambient
Storage temperature
Resistance
Electrical Ratings @T
A
=25℃
Parameter
Reverse Breakdown Voltage
Symbol
V
(BR)R
V
F1
V
F2
Forward voltage
V
F3
V
F4
I
R1
Reverse current
Capacitance between terminals
Reverse Recovery Time
I
R2
C
T
t
rr
Min.
75
0.62
0.72
0.855
1.0
1.25
2.5
25
4
4
Typ.
Max.
Unit
V
V
V
V
V
µA
nA
pF
ns
Conditions
IR=10µA
I
F
=5mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=150mA
V
R
=75V
V
R
=20V
V
R
=0V,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA
Irr=0.1XI
R
,R
L
=100Ω
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