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GC1708H

产品描述Variable Capacitance Diode, 3.9pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小121KB,共2页
制造商Msi Electronics Inc
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GC1708H概述

Variable Capacitance Diode, 3.9pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt

GC1708H规格参数

参数名称属性值
厂商名称Msi Electronics Inc
包装说明O-MUPM-N1
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最小击穿电压60 V
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比6
标称二极管电容3.9 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码O-MUPM-N1
元件数量1
端子数量1
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最小质量因数1050
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流2e-8 µA
反向测试电压55 V
表面贴装NO
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
变容二极管分类ABRUPT

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