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ST95010M3TR

产品描述4K/2K/1K Serial SPI EEPROM with Positive Clock Strobe
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文件大小102KB,共18页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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ST95010M3TR概述

4K/2K/1K Serial SPI EEPROM with Positive Clock Strobe

ST95010M3TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)2 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
内存密度1024 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数128 words
字数代码128
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织128X8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE

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ST95040
ST95020, ST95010
4K/2K/1K Serial SPI EEPROM with Positive Clock Strobe
1 MILLION ERASE/WRITE CYCLES
40 YEARS DATA RETENTION
SINGLE SUPPLY VOLTAGE
– 4.5V to 5.5V for ST950x0
– 2.5V to 5.5V for ST950x0W
SPI BUS COMPATIBLE SERIAL INTERFACE
2 MHz CLOCK RATE MAX
BLOCK WRITE PROTECTION
STATUS REGISTER
16 BYTE PAGE MODE
WRITE PROTECT
SELF-TIMED PROGRAMMING CYCLE
E.S.D.PROTECTION GREATER than 4000V
SUPPORTS POSITIVE CLOCK SPI MODES
8
1
PSDIP8 (B)
0.25mm Frame
8
1
SO8 (M)
150mil Width
Figure 1. Logic Diagram
DESCRIPTION
The ST950x0 is a family of Electrically Erasable
Programmable Memories (EEPROM) fabricated
with STMicroelectronics’s High Endurance Single
Polysilicon CMOS technology. Each memory is
accessed by a simple SPI bus compatible serial
interface. The bus signals are a serial clock input
(C), a serial data input (D) and a serial data output
(Q).
VCC
D
C
Q
Table 1. Signal Names
C
D
Q
S
W
HOLD
V
CC
V
SS
Serial Clock
Serial Data Input
Serial Data Output
Chip Select
Write Protect
Hold
Supply Voltage
Ground
S
W
HOLD
ST950x0
VSS
AI01435B
June 1998
1/18

 
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