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STA508A

产品描述MOS FET Array
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小23KB,共1页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
标准
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STA508A概述

MOS FET Array

STA508A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T10
针数10
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)80 mJ
配置COMMON SOURCE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压120 V
最大漏极电流 (ID)6 A
最大漏源导通电阻0.25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T10
元件数量4
端子数量10
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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MOS FET Array STA508A
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)
*
1
P
T
Ratings
120
±20
±6
±10
4 (Ta = 25ºC)
20 (Tc = 25ºC)
E
AS
*
2
80
mJ
Tch
ºC
150
Tstg
ºC
–55 to +150
*1 P
W
100µs, duty 1%
*2 V
DD
= 12V, L = 10mH, unclamped, R
G
= 50Ω
(Ta=25ºC)
Unit
V
V
A
A
W
W
Electrical Characteristics
Symbol
V
(BR) DSS
I
GSS
I
DSS
V
TH
Re
(yfs)
R
DS (ON)
Ciss
Coss
Crss
t
d (on)
t
r
t
d (off)
t
f
V
SD
Test Conditions
I
D
= 100µA, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, I
D
= 250µA
V
DS
= 10V, I
D
= 4.0A
V
GS
= 10V, I
D
= 4.0A
V
GS
= 4V, I
D
= 4.0A
V
DS
= 10V
f = 1.0MHz
V
GS
= 0V
I
D
= 4A
V
DD
12V
R
L
= 3Ω
V
GS
= 5V
R
G
= 50Ω
I
SD
= 6A, V
GS
= 0V
min
120
±5
100
2.0
0.15
0.2
400
130
30
100
300
250
200
1.0
0.2
0.25
Ratings
typ
max
(Ta=25ºC)
Unit
External Dimensions
STA4 (LF412)
25.25
±0.2
1.0
5.0
1.5
V
µA
µA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
±0.2
±0.2
9.0
±0.2
b
a
11.3
3.5
±0.5
2.3
1.0
±0.25
0.5
±0.15
(2.54)
0
±0.3
0
±0.3
9 •2.54=22.86
±0.05
±0.15
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
S G D G D G D G D S
a) Type No.
b) Lot No.
(Unit: mm)
s
I
D
V
DS
Characteristics
16
V
GS
=
10V
s
I
D
V
GS
Characteristics
10
V
DS
=
10V
s
R
DS
(on) —
I
D
Characteristics
0.30
0.25
V
GS
=
4V
12
8
V
GS
=
4.5V
6
8
R
DS
(on)
(Ω)
0.20
0.15
V
GS
=
10V
I
D
(A)
I
D
(A)
4
4
2
Ta
= –55ºC
25ºC
75ºC
150ºC
0.10
0.05
0
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0
2
4
6
0.5
8
1.2
4.0
C1.5
±0.5
±0.2
±0.2
10
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
(A)
s
R
DS
(on) —
T
C
Characteristics
0.45
0.40
I
D
=
4A
V
GS
=
4V
s
R
e (yfs) —
I
D
Characteristics
50
s
I
DR
V
SD
Characteristics
6
V
GS
=
0V
5
10
0.30
4
Ta
=
150ºC
75ºC
25ºC
–55ºC
R
DS
(on)
(Ω)
Re
(yfs)
(S)
5
I
DR
(A)
10
0.20
V
GS
=
10V
3
2
1
0
1
0.5
0.10
Ta
= –55ºC
25ºC
75ºC
150ºC
0
–50
0
50
100
150
0.1
0.05 0.1
0.5
1
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Tc (ºC)
I
D
(A)
V
SD
(V)
s
Capacitance
V
DS
Characteristics
1000
500
Ciss
s
S
afe Operating Area (single pulse)
20
10
5
I
D
(pulse)
max
I
D
(
DC
)
max
(Ta = 25ºC)
10
0
µ
s
Equivalent Circuit Diagram
Capacitance (pF)
I
D
(A)
V
GS
=
0V
f
=
1MHz
R
DS
(on)
LIMITED
10
10
0m
1m
m
s
s
3
5
7
9
100
Coss
1
0.5
s
2
4
6
8
50
1
10
Crss
10
0
10
20
30
40
50
0.1
1
5
10
50
100 200
V
DS
(V)
V
DS
(V)
79
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