STB11NM60A-1,STB11NM60A-1 pdf中文资料,STB11NM60A-1引脚图,STB11NM60A-1电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> STB11NM60A-1

STB11NM60A-1: 产品描述11 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小251KB，共11页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

STB11NM60A-1概述

11 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

STB11NM60A-1规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TO-262AA
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	11 A
最大漏极电流 (ID)	11 A
最大漏源导通电阻	0.45 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	44 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

STB11NM60A-1相似产品对比

	STB11NM60A-1	STP11NM60A	STP11NM60AFP
描述	11 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	11 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	11 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
零件包装代码	TO-262AA	TO-220AB	TO-220AB
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	TO-220, 3 PIN	TO-220FP, 3 PIN
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	_compli	_compli
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V	600 V	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	11 A	11 A	11 A
最大漏极电流 (ID)	11 A	11 A	11 A
最大漏源导通电阻	0.45 Ω	0.45 Ω	0.45 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA	TO-220AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	110 W	110 W	35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	44 A	44 A	44 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
是否Rohs认证	-	符合	符合
厂商名称	-	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
JESD-609代码	-	e3	e3
湿度敏感等级	-	1	1
峰值回流温度（摄氏度）	-	245	245
端子面层	-	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

推荐资源

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多