Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> STB210NF02

文档预览

STB210NF02: 产品描述N-CHANNEL 20V - 0.0026 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小435KB，共14页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

STB210NF02概述

N-CHANNEL 20V - 0.0026 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

STB210NF02规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
雪崩能效等级（Eas）	2300 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	120 A
最大漏极电流 (ID)	120 A
最大漏源导通电阻	0.0032 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	480 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

N-CHANNEL 20V - 0.0026

Ω

- 120A D

PAK/I

PAK/TO-220

STripFET™ II POWER MOSFET

TYPE

STB210NF02/-1

STP210NF02

STB210NF02 STB210NF02-1

AUTOMOTIVE SPECIFIC

DSS

20 V

DS(on)

<0.0032

Ω

<0.0032

Ω

120 A

(**)

120 A

(**)

TYPICAL R

(on) = 0.0026Ω

STANDARD THRESHOLD DRIVE

100% AVALANCHE TESTED

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of

STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-

based process. The resulting transistor shows extremely

high packing density for low on-resistance, rugged

avalanche characteristics and less critical alignment

steps

therefore

remarkable

manufacturing

reproducibility.

PAK

TO-263

PAK

TO-262

TO-220

APPLICATIONS

HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

SOLENOID AND RELAY DRIVERS

MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

DC-DC & DC-AC CONVERTERS

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

Ordering Information

SALES TYPE

STB210NF02

STB210NF02T4

STP210NF02

STB210NF02-1

MARKING

B210NF02

P210NF02

B210NF02

PACKAGE

PAK

TO-220

PAK

PACKAGING

TUBE

TAPE & REEL

TUBE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Drain-source Voltage (V

= 0)

Drain-gate Voltage (R

= 20 kΩ)

DGR

Gate- source Voltage

Drain Current (continuous) at T

= 25°C

(**)

Drain Current (continuous) at T

= 100°C

(•)

Drain Current (pulsed)

tot

Total Dissipation at T

= 25°C

Derating Factor

(1)

Peak Diode Recovery voltage slope

dv/dt

AS (2)

Single Pulse Avalanche Energy

stg

Storage Temperature

Operating Junction Temperature

(•)

Pulse width limited by safe operating area.

(**) Current Limited by Package

Value

± 20

120

480

300

2.0

2.3

-55 to 175

Unit

W/°C

V/ns

°C

(1) I

≤120A,

di/dt

≤250A/µs,

≤

(BR)DSS

, T

≤

JMAX

(2) Starting T

= 25

C, I

= 60 A, V

= 14 V

October 2002

1/14

STB210NF02相似产品对比

	STB210NF02	STP210NF02	STB210NF02-1
描述	N-CHANNEL 20V - 0.0026 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET	N-CHANNEL 20V - 0.0026 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET	N-CHANNEL 20V - 0.0026 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	D2PAK	TO-220AB	TO-262AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	4	3	3
Reach Compliance Code	_compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
Is Samacsys	N	N	N
雪崩能效等级（Eas）	2300 mJ	2300 mJ	2300 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V	20 V	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	120 A	120 A	120 A
最大漏极电流 (ID)	120 A	120 A	120 A
最大漏源导通电阻	0.0032 Ω	0.0032 Ω	0.0032 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-220AB	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	2	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	300 W	300 W	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	480 A	480 A	480 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO	NO
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1
是否无铅	不含铅	不含铅	-
是否Rohs认证	符合	符合	-
JESD-609代码	e3	e3	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-

STB210NF02

STB210NF02概述

STB210NF02规格参数

文档预览

STB210NF02相似产品对比

推荐资源