N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TO-262AA |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| 雪崩能效等级（Eas） | 250 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.2 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 4.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 2.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 16.8 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| STB4NC60-1 | STP4NC60FP | STP4NC60 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET | N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET | N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TO-262AA | TO-220AB | TO-220AB |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | TO-220FP, 3 PIN | TO-220, 3 PIN |
| 针数 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli | _compli | _compli |
| 雪崩能效等级（Eas） | 250 mJ | 250 mJ | 250 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.2 A | 4.2 A | 4.2 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 4.2 A | 4.2 A | 4.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 2.2 Ω | 2.2 Ω | 2.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA | TO-220AB | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 100 W | 35 W | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 16.8 A | 16.8 A | 16.8 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 其他特性 | - | HIGH VOLTAGE | HIGH VOLTAGE |
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