LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 外壳连接 | MAIN TERMINAL 2 |
| 配置 | SINGLE |
| 换向电压的临界上升率-最小值 | 2 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 5 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 2 V |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
| 最大漏电流 | 1 mA |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流 | 0.8 A |
| 断态重复峰值电压 | 400 V |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | SINGLE |
| 触发设备类型 | 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC |
| BCR08AS-8 | |
|---|---|
| 描述 | LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE |
| 厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 外壳连接 | MAIN TERMINAL 2 |
| 配置 | SINGLE |
| 换向电压的临界上升率-最小值 | 2 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 5 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 2 V |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
| 最大漏电流 | 1 mA |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流 | 0.8 A |
| 断态重复峰值电压 | 400 V |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | SINGLE |
| 触发设备类型 | 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC |
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