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2N6659-SM

产品描述Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-220SM, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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2N6659-SM概述

Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-220SM, 3 PIN

2N6659-SM规格参数

参数名称属性值
厂商名称TT Electronics plc
包装说明SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)1.1 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CDSO-N3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON

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