BAT62-03WE6327,BAT62-03WE6327 pdf中文资料,BAT62-03WE6327引脚图,BAT62-03WE6327电路-Datasheet-电子工程世界

BAT62-03WE6327: 产品描述Mixer Diode, Low Barrier, Silicon; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小60KB，共3页; 制造商SIEMENS; 官网地址http://www.infineon.com/

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BAT62-03WE6327概述

Mixer Diode, Low Barrier, Silicon

	BAT62-03WE6327	BAT62-03WE6433
描述	Mixer Diode, Low Barrier, Silicon	Mixer Diode, Low Barrier, Silicon
厂商名称	SIEMENS	SIEMENS
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE
最大二极管电容	0.6 pF	0.6 pF
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	MIXER DIODE	MIXER DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
最大功率耗散	0.1 W	0.1 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
肖特基势垒类型	LOW BARRIER	LOW BARRIER

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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