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NP32N055IDE

产品描述32A, 55V, 0.029ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, MP-3Z, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小290KB,共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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NP32N055IDE概述

32A, 55V, 0.029ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, MP-3Z, 3 PIN

NP32N055IDE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)44 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)32 A
最大漏极电流 (ID)32 A
最大漏源导通电阻0.029 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)66 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NP32N055IDE相似产品对比

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描述 32A, 55V, 0.029ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, MP-3Z, 3 PIN mosfet N-CH 55v 32a TO-252 32A, 55V, 0.029ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, MP-3, 3 PIN NP32N055HDE-AZ TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,32A I(D),TO-252AA TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,32A I(D),TO-252AA
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknow unknown compliant compliant compli compli
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) - - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
ECCN代码 EAR99 - EAR99 - EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 32 A - 32 A 32 A 32 A 32 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C - 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 66 W - 66 W 66 W 66 W 66 W
表面贴装 YES - NO NO YES YES
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