MSM511000BL-10RS,MSM511000BL-10RS pdf中文资料,MSM511000BL-10RS引脚图,MSM511000BL-10RS电路-Datasheet-电子工程世界

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MSM511000BL-10RS: 产品描述Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18; 产品类别存储存储; 文件大小338KB，共16页; 制造商OKI; 官网地址http://www.oki.com

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MSM511000BL-10RS概述

Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18

MSM511000BL-10RS规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	OKI
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	18
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	100 ns
其他特性	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDIP-T18
长度	22.6 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	18
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
座面最大高度	4.7 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

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描述	Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18	Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20	Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18	Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20	Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PZIP19, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20/19	Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PZIP19, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20/19
厂商名称	OKI	OKI	OKI	OKI	OKI	OKI
零件包装代码	DIP	SOJ	DIP	SOJ	ZIP	ZIP
包装说明	DIP,	SOJ,	DIP,	SOJ,	ZIP,	ZIP,
针数	18	20	18	20	20	20
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns
其他特性	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDIP-T18	R-PDSO-J20	R-PDIP-T18	R-PDSO-J20	R-PZIP-T19	R-PZIP-T19
长度	22.6 mm	17.15 mm	22.6 mm	17.15 mm	25.5 mm	25.5 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	18	20	18	20	19	19
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX1	1MX1	1MX1	1MX1	1MX1	1MX1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOJ	DIP	SOJ	ZIP	ZIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512	512	512	512
座面最大高度	4.7 mm	3.65 mm	4.7 mm	3.65 mm	10.16 mm	10.16 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	2.8 mm	2.8 mm

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