汕头华汕电子器件有限公司
PNP
SILICON
TRANSISTOR
对应½外型号
2SB772
HS772
█ 主要用途
音频放大、开关功率放大
█ 外½尺寸及引脚排列
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
stg
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散（T
c
=25℃）…………………… 10W
P
C
——集电极功率耗散（T
A
=25℃）…………………………1W
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………-40V
V
CEO
——集电极—发射极电压………………………………-30V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………………………-5V
I
C
——集电极电流……………………………………………-3A
I
B
——基极电流………………………………………………0.6A
TO-126
1―发射极，E
2―集电极，C
3―基
极，B
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE（sat）
V
BE（sat）
C
ob
f
T
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
-1
-1
60
-0.3
-1.0
55
80
400
-0.5
-2.0
V
V
pF
MHz
单 ½
μA
μA
测
试
条
件
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极饱和压降
共基极输出电容
特征频率
V
CB
=-30V, I
E
=0
V
EB
=-5V, I
C
=0
V
CE
=-2V, I
C
=-1A
I
C
=-2A, I
B
=-0.2A
I
C
=-2A, I
B
=-0.2A
V
CB
=-10V，I
E
=0，f=1MHz
V
CE
=-5V，I
E
=-0.1A
█ 分档及其标志
R
60—120
Q
100—200
P
160—320
E
200—400
京公网安备 11010802033920号
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