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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> HS3JB
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HS3JB

产品描述3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小37KB，共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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HS3JB概述

3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA

HS3JB规格参数

参数名称属性值
厂商名称HY Electronic
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknow
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL

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HS3AB thru HS3MB
SURFACE MOUNT
GLASS HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS
FEATURES
●
Low cost
●
Diffused junction
●
Ultra fast switching for high efficiency
●
Low reverse leakage current
●
Low forward voltage drop
●
High current capability
●
The plastic material carries UL recognition 94V-0
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 3.0
Amperes
SMB
.083(2.11)
.075(1.91)
.155(3.94)
.130(3.30)
.185(4.70)
.160(4.06)
.012(.305)
.006(.152)
.096(2.44)
.084(2.13)
MECHANICAL DATA
●
Case： Molded Plastic
●
Polarity:Color band denotes cathode
●
Weight: 0.003 ounces,0.093 grams
●
Mounting position: Any
.060(1.52)
.030(0.76)
.220(5.59)
.200(5.08)
.008(.203)
.002(.051)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surage Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load(JEDEC Method)
Peak Forward Voltage at 3.0A DC(Note1)
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@T
J
=25℃
@T
J
=100℃
@T
A
=55
℃
SYMBOL HS3AB HS3BB HS3DB HS3GB HS3JB HS3KB HS3MB
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
3.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
50
50
1.0
150
1.3
5.0
100
75
30
20
-50 to +150
-50 to +150
1.7
A
V
uA
nS
pF
℃/W
℃
℃
Maximum Reverse Recovery Time(Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note2)
Typical Thermal Resistance (Note3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
NOTES: 1.Measured with I
F
=0.5A，I
R
=1A
，I
RR
=0.25A
2.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
3.Thermal resistance junction to ambient
~ 111 ~

HS3JB相似产品对比

HS3JB HS3KB HS3MB
描述 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
厂商名称 HY Electronic HY Electronic HY Electronic
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
Reach Compliance Code unknow unknow unknown
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.7 V 1.7 V 1.7 V
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A 100 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压 600 V 800 V 1000 V
最大反向电流 5 µA 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.075 µs 0.075 µs 0.075 µs
表面贴装 YES YES YES
端子形式 C BEND C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL DUAL

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