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HS2J

产品描述2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小170KB,共2页
制造商Good-Ark
官网地址http://www.goodark.com/
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HS2J概述

2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA

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HS2A thru HS2M
High Efficient Surface Mount Rectifiers
Reverse Voltage 50 to 1000 Volts Forward Current 1.5 Amperes
Features
Glass passivated junction chip.
For surface mounted application
Low forward voltage drop
Low profile package
Built-in stain relief, ideal for automatic placement
Fast switching for high efficiency
High temperature soldering:
250
o
C/10 seconds at terminals
Plastic material used carries Underwriters Laboratory
Classification 94V-O
Mechanical Data
Cases: Molded plastic
Terminals: Solder plated
Polarity: Indicated by cathode band
Weight: 0.003 ounce, 0.093 gram
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
See Fig.2
Peak forward surge current, 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage @ 1.5A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
@ T
A
=25
o
C
@ T
A
=100
o
C
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
T
J
T
STG
50
50
-55 to +150
-55 to +150
1.0
5.0
100
75
30
H S 2A
50
35
50
H S 2B
100
70
100
H S 2D
200
140
200
H S 2F
300
210
300
1.5
H S 2G
400
280
400
H S 2J
600
420
600
H S 2K
800
560
800
H S 2M
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
50.0
1.3
1.7
Amps
Volts
uA
uA
nS
pF
o
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Notes:
C
C
o
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.
165

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