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B772P

产品描述PNP 功率三极管
产品类别分立半导体   
文件大小294KB,共6页
制造商深圳市晶导电子
官网地址http://www.jdsemi.cn

深圳市晶导电子有限公司是专业的半导体分立器件封装企业,公司成立于1994年,注册资金为人民币4000万元,是集研发、生产、销售、技术服务为一体的高新技术企业,是我国较早从事规模化生产高反压、中大功率的二、三极管的企业之一,是中国半导体行业协会的会员单位。

公司现有员工三百多人,其中50多名是具有大专以上学历的技术和管理人员,包括多名博士、硕士和高级工程师。公司已获得国家“高新技术企业”称号,公司商标已获评“广东省著名商标”,并获得多项专利,具有很强的产品研发能力,每年都有多个新产品量产上市。

我们实行严格的质量管理体系,1999年顺利通过ISO9001体系认证,2001年完成ISO9001-2000版的转版工作;2004年产品通过了Intertek关于WEEE 2002/96/EC要求的测试,达到欧盟RoHS指令要求。并于2009年通过ISO14001环境管理体系认证及ISO2000-2008版的转版工作。我们主要的产品有双极型晶体管、功率场效应管、肖特基二极管、快恢复二极管、IC等。封装形式主要有TO-92、TO-251、TO-252、TO-126、TO-126F、SOT-82、TO-220、TO-220F、TO-262、TO-263、SOD-59、TO-3P等。产品主要用于计算机开关电源、适配器、逆变器、LED驱动电源、节能灯、电子镇流器及各类充电器。

我们拥有9800㎡的生产车间,包括1500㎡的万级超净车间,生产能力达到450万只/日,连续几年年产销值超两亿元人民币。公司拥有高素质的员工,国际先进水平的全自动生产设备及检测仪器,具有科学的生产管理制度和严格的质量保证体系;高品质、高效率、专业化发展是我公司的一贯目标,公司以求真诚的信誉、一流的品质和服务作为发展之本,愿与各方客户精诚合作,共同发展;可根据用户要求针对性生产供货。

产品中心

双极型功率三极管:超高反压系列(Bvceo>600V)(22);BU103BH*、BU103DH*、BU103AH*、DK53H、BU8403、S13003AD-H、H13003H、H13003AH、BU3150F、BU5027S......;高反压系列 (Bvceo:400-600V)(33);13001-0、13001-2、13001-A、BU102S、BU102、BU103、BU103T、DK52、DK52A......;高反压集成二极管系列(Bvceo:400-600V)(36) BU102D、BU13003D、BU103T、BU103BD、BU103AD、BU103A、DK52D、DK53D、DK53TD......;中反压系列 (Bvceo:300-400V)(1) 13007S;低反压系列 (Bvceo<300V)(9) B647(PNP)*、D667(NPN)*、B772PC(PNP)*、B772PC(PNP)*、D882PC(NPN)*、D882PC(NPN)*、B772P(PNP)*、D882P(NPN)*、D880(NPN);低反压集成二极管系列(Bvceo<300V)(22) BU202DL、BU202ADL、BU203DL、BU206DL、DK53DL、DK53ADL、DK54DL、S13003DL、S13003ADL......

功率场效应管:N-沟道 VDMOS系列(71) CM9N20、CM18N20、CM40N20、CM6N40、CM6N40C......;N-沟道 Trench-MOS系列(12) CM60N03、CM60N03C、CM100N03、CM140N04、CM220N04......

大功率肖特基、快恢复二极管:肖特基二极管系列(13) 16S45T、16S45、20S45、30S45、30S45P、50S45P、10S100、10S100F、20S100、20S100F、50S100P、10S150、20S150;快恢复二极管系列(15) 12F020、12F020F、16F020C、16F020、20F020......

集成电路(31):JD3202D、JD3205T、JD3301D、JD3306S、JD3306D......

封装形式(16):TO-92/TO-92T、TO-126S、TO-126D、TO-126、TO-126F、SOT-82、TO-826、TO-251、TO-252、TO-220、TO-220A、TO-220F、TO-220FL/TO-220FH、SOD-59、SOD-59F、TO-3P(B)

包装规格(25):塑料胶袋、编带

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B772P概述

PNP 功率三极管

功能特点

产品名称:PNP 功率三极管


产品型号:B772P


产品描述:


主要用途 :主要用于高频放大电路、应急灯、电动玩具控制电路。


主要特点:硅外延平面工艺 输出特性好、电流容量大。




参数:


BVceo(集电极-发射极击穿电压):-30V


BVcbo(集电极-基极击穿电压):-40V


Icm(最大集电极直流电流):-3.0A


Pcm(最大耗散功率):30W


hFE(电流放大倍数):120~400


Package:T0-126/126D


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深圳市晶导电子有限公司
Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
TEL
0755-29799516
FAX
0755-29799515
Http://www.jdsemi.cn
B772P
PNP
功率三极管
*
主要用途 :
主要用于高频放大电路、应急灯、
电动玩具控制电路。
*
主要特点:
主要特点:
硅外延平面工艺
输出特性½、电流容量大。
E
发射极
C
集电极
B
基极
极限值:
极限值:
( Tc=25
)
额定值
-30
-40
-6
-3
30
150
55
½
150
V
V
V
A
W
½
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高结温
贮存温度
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
Icm
Pcm
Tjm
Tstg
电特性:
电特性:
( Tc=25
)
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-基极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
下降时间
特征频率
符号
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CEO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE
(sat)
t
f
f
T
测 试 条 件
I
C
=-1mA
I
C
=-1mA
I
E
=-1mA
V
CE
=-25V
V
CB
=-35V
V
EB
=-6V
V
CE
=-2V
V
CE
=5V
I
C
=-2A
I
B
=0
I
E
=0
I
C
=0
I
B
=0
I
E
=0
I
C
=0
I
C
=-1A
I
C
=1mA
I
B
=-0.2A
规范值
最小值
-30
-40
-6
-20
-10
-10
120
50
-0.5
0.2
80
400
最大值
单½
V
V
V
uA
uA
uA
V
uS
MHz
I
C
=-2A
I
B1
=I
B2
=-0.4A
V
CE
=-20V
V
CE
=-5V
I
C
=-0.1A
f =1MHz
Jingdao Electronic Corporation V01
1/3

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