L7C165DMB20,L7C165DMB20 pdf中文资料,L7C165DMB20引脚图,L7C165DMB20电路-Datasheet-电子工程世界

L7C165DMB20: 产品描述Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24; 产品类别存储存储; 文件大小841KB，共8页; 制造商LOGIC Devices; 官网地址http://www.logicdevices.com/

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L7C165DMB20概述

Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	LOGIC Devices
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP24,.3
针数	24
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	20 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDIP-T24
JESD-609代码	e0
长度	30.48 mm
内存密度	65536 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX4
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP24,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	4.953 mm
最大待机电流	0.00025 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.096 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

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