FIFO, 64X5, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP20, PLASTIC, DIP-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | AMD(超微) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 50 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 10 MHz |
| 周期时间 | 100 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 26.035 mm |
| 内存密度 | 320 bi |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 5 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 字数 | 64 words |
| 字数代码 | 64 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64X5 |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大压摆率 | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| 67C4033-10NC | 67C4033-10NLC | 67C4033-15NLC | 67C4033-15NC | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | FIFO, 64X5, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP20, PLASTIC, DIP-20 | FIFO, 64X5, 50ns, Asynchronous, CMOS, PQCC20, PLASTIC, LCC-20 | FIFO, 64X5, 47ns, Asynchronous, CMOS, PQCC20, PLASTIC, LCC-20 | FIFO, 64X5, 47ns, Asynchronous, CMOS, PDIP20, PLASTIC, DIP-20 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | AMD(超微) | AMD(超微) | AMD(超微) | AMD(超微) |
| 零件包装代码 | DIP | QLCC | QLCC | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 | QCCJ, LDCC20,.4SQ | QCCJ, LDCC20,.4SQ | DIP, DIP20,.3 |
| 针数 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 50 ns | 50 ns | 47 ns | 47 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 10 MHz | 10 MHz | 15 MHz | 15 MHz |
| 周期时间 | 100 ns | 100 ns | 66.67 ns | 66.67 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T20 | S-PQCC-J20 | S-PQCC-J20 | R-PDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 26.035 mm | 8.9662 mm | 8.9662 mm | 26.035 mm |
| 内存密度 | 320 bi | 320 bit | 320 bit | 320 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 5 | 5 | 5 | 5 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| 字数 | 64 words | 64 words | 64 words | 64 words |
| 字数代码 | 64 | 64 | 64 | 64 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 64X5 | 64X5 | 64X5 | 64X5 |
| 可输出 | YES | YES | YES | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | QCCJ | QCCJ | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 | LDCC20,.4SQ | LDCC20,.4SQ | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 220 | 220 | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 4.57 mm | 4.57 mm | 5.08 mm |
| 最大压摆率 | 0.035 mA | 0.035 mA | 0.045 mA | 0.045 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | QUAD | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 8.9662 mm | 8.9662 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | - | 1 | 1 | 1 |
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