汕头华汕电子器件有限公司
NPN SILICON TRANSISTOR
HP122
█ 主要用途
该器件为达林顿三极管内含阻尼二极管，用于高增益电路。
对应½外型号
TIP122
█ 外½图及引脚排列
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
stg
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散
c
=25℃）
（T
…………………………
65W
P
C
——集电极功率耗散（T
A
=25℃）…………………………2W
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………
100V
V
CEO
——集电极—发射极电压……………………………
100V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………………………
5V
I
C
——集电极电流……………………………………………
5A
TO-220
1―基
极，B
2―集电极，C
3―发射极，E
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
I
CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE（sat）
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
0.2
0.2
2
1000
2
4.0
BV
CBO
BV
CEO
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
100
100
V
V
V
V
单 ½
mA
mA
mA
测
试
条
件
集电极—发射极截止电流
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
V
CE
=100V, I
B
=0
V
CB
=100V, I
E
=0
V
BE
=5V, I
C
=0
V
CE
=3V, I
C
=0.5A
I
C
=3A, I
B
=12mA
I
C
=5A, I
B
=20mA
I
C
=1mA, I
E
=0
I
C
=5mA, I
B
=0
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