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STK3NA50

产品描述N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小165KB,共10页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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STK3NA50概述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

STK3NA50规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SFM
包装说明SOT-82, 3 PIN
针数3
制造商包装代码SOT82
Reach Compliance Code_compli
雪崩能效等级(Eas)40 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.7 A
最大漏极电流 (ID)2.7 A
最大漏源导通电阻3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)10.8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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